[发明专利]薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法在审
申请号: | 201410842463.2 | 申请日: | 2014-12-25 |
公开(公告)号: | CN104465890A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 徐根保;王芸;杨勇;曹欣;姚婷婷;张宽翔;金克武;蒋继文 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司;蚌埠玻璃工业设计研究院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人: | 王法男 |
地址: | 200061 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法,包括如下步骤:(1)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;(2)采用反应离子束技术对所述玻璃基片表面进行刻蚀,使所述玻璃基片表面具有绒面结构;并且(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面的绒面结构上沉积450~750纳米的AZO薄膜,从而得到绒面结构的AZO薄膜。本发明开发了一种新的用于薄膜太阳能电池前电极的绒面AZO薄膜的制备方法,先采用离子束技术,对玻璃基片表面进行刻蚀处理,获得绒面结构的玻璃基片,然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积具有绒面结构的AZO薄膜,避免了现有刻蚀技术中对膜层厚度的浪费,同时也避免了湿法刻蚀工艺中产生的废酸腐蚀液对环境造成的污染。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 电极 用绒面 azo 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池前电极用绒面AZO薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)清洗玻璃基片,后用高压N2吹干;(2)采用反应离子束技术对所述玻璃基片表面进行刻蚀,使所述玻璃基片表面具有绒面结构;并且(3)采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面的绒面结构上沉积450~750纳米的AZO薄膜,从而得到绒面结构的AZO薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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