[发明专利]集成器件及其行波电极阻抗匹配方法有效
| 申请号： | 201410841501.2 | 申请日： | 2014-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104516127B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 李淼峰;肖希;王磊;邱英;陈代高 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京捷诚信通专利事务所(普通合伙)11221 | 代理人： | 魏殿绅,庞炳良 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种集成器件及其行波电极阻抗匹配方法，该方法包括以下步骤将集成器件的行波电极在其长度方向上按周期划分为多段，每段中的信号线和地线之间分别串联一个电感；其中，电感的大小根据硅基电光调制器的实际阻抗值与实现硅基电光调制器阻抗匹配的数值的差值大小确定。本发明，实现了对集成器件的行波电极单位长度电感的提高，进而提高了整体的特征阻抗实现集成器件的行波电极的阻抗匹配，减少了电信号的反射，增加了带宽。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 器件 及其 行波 电极 阻抗匹配 方法 | ||
【主权项】：
集成器件的行波电极阻抗匹配方法，其特征在于，包括以下步骤：根据等效介质理论，将集成器件的行波电极在其长度方向上按周期划分为多段，每段中的信号线和地线之间分别串联一个电感，电感结构相同或不同；其中，电感的大小根据硅基电光调制器的实际阻抗值与实现硅基电光调制器阻抗匹配的数值的差值大小确定；所述电感由相对间隔设置的上层结构和下层结构组成，所述上层结构整体呈片状，由一根条形金属片依次弯折形成多层相互嵌套式结构，且相邻金属片之间设有间隙，所述下层结构与所述上层结构相同。
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