[发明专利]包括具有可变电阻特性的存储器单元的电子器件有效
| 申请号： | 201410838398.6 | 申请日： | 2014-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105810816B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 赵光熙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种电子器件包括半导体存储器。所述半导体存储器包括：层叠结构，其包括第一电极、第二电极、第三电极、插入在所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘层、以及插入在所述第二电极和所述第三电极之间的可变电阻层；以及，选择元件层，其被设置在所述层叠结构的侧壁的至少一部分之上。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 可变 电阻 特性 存储器 单元 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种电子器件，其包括半导体存储单元，所述半导体存储单元包括：层叠结构，其包括：第一电极、第二电极、第三电极、插入在所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘层、以及插入在所述第二电极和所述第三电极之间的可变电阻层；以及选择元件层，其被设置在所述层叠结构的侧壁的至少一部分之上，使得所述选择元件层选择性地将所述第一电极与所述第二电极耦接。
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