[发明专利]一种低单斜相氧化钇部分稳定二氧化锆粉体及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410838265.9 申请日: 2014-12-29
公开(公告)号: CN105801113A 公开(公告)日: 2016-07-27
发明(设计)人: 郭荣贵;黄小卫;蒋文全;于丽敏;韩雪;胡运生;郝红蕊 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;C04B35/626
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 刘徐红
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种低单斜相氧化钇部分稳定二氧化锆粉体及其制备方法,属于陶瓷制备领域。该氧化钇部分稳定二氧化锆粉体,以氧化锆为基体,三氧化二钇为主要稳定剂,还包含氧化铈、氧化镧、氧化钕和氧化镨中的一种或多种;其中,三氧化二钇的摩尔含量为2.5%~3.5%,氧化铈、氧化镧、氧化钕和氧化镨中的一种或多种的摩尔含量为0.75%~2%。本发明还提供了低单斜相氧化钇部分稳定二氧化锆粉体的制备方法。本发明的方法工艺简单,操作方便,适合产业化生产。采用本发明制备的氧化钇部分稳定二氧化锆粉体单斜相含量低。
搜索关键词: 一种 单斜 氧化钇 部分 稳定 氧化锆 及其 制备 方法
【主权项】:
一种低单斜相氧化钇部分稳定二氧化锆粉体,以氧化锆为基体,三氧化二钇为主要稳定剂,其特征在于:还包含氧化铈、氧化镧、氧化钕和氧化镨中的一种或多种;其中,三氧化二钇的摩尔含量为2.5%~3.5%,氧化铈、氧化镧、氧化钕和氧化镨中的一种或多种的摩尔含量为0.75%~2%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院,未经北京有色金属研究总院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410838265.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top