[发明专利]基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法

摘要

本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法，其中，所述基于二极管选通的相变存储器读出电路至少包括：偏置电路，用于提供恒定电流，以产生偏置电压；读电流限流电路，用于根据所述偏置电压对流过需要读数据位上的相变存储单元的读电流进行限流；基准电流限流电路，用于提供基准电流，并根据所述偏置电压对所述基准电流进行限流；比较电路，用于将限流后的读电流和限流后的基准电流进行比较，并根据比较结果读取所述需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据。本发明的基于二极管选通的相变存储器读出电路，能够适应相变存储器制备工艺中的偏差，使相变存储器具有良好的产品一致性，同时减小了数据读取难度和读错概率。 1

主权项

1.一种基于二极管选通的相变存储器读出电路，用于对需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据进行读取，其特征在于，所述基于二极管选通的相变存储器读出电路至少包括：偏置电路，用于提供恒定电流，以产生偏置电压；读电流限流电路，连接于所述偏置电路和所述需要读数据位上的相变存储单元，用于根据所述偏置电压对流过所述需要读数据位上的相变存储单元的读电流进行限流；基准电流限流电路，连接于所述偏置电路，用于提供基准电流，并根据所述偏置电压对所述基准电流进行限流；比较电路，连接于所述读电流限流电路和所述基准电流限流电路，用于将限流后的读电流和限流后的基准电流进行比较，并根据比较结果读取所述需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据；其中，所述读电流限流电路至少包括：第一限流PMOS晶体管，第一限流NMOS晶体管；所述第一限流PMOS晶体管的源极与其衬底连接后接入电源电压，所述第一限流PMOS晶体管的栅极与其漏极连接，所述第一限流PMOS晶体管的漏极还与所述第一限流NMOS晶体管的漏极连接，所述第一限流NMOS晶体管的栅极接入所述偏置电压，所述第一限流NMOS晶体管的衬底接地，所述第一限流NMOS晶体管的源极与所述需要读数据位上的相变存储单元连接；其中，所述第一限流NMOS晶体管适于通过所述偏置电压限制其栅极电压，以限制流过所述第一限流NMOS晶体管的电流，从而限制所述读电流，并将其漏极处的电压输出到所述比较电路，作为与所述限流后的读电流对应的读电压。