[发明专利]铜互连中空气隙的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410835897.X 申请日: 2014-12-24
公开(公告)号: CN104465506B 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 胡正军 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 代理人: 吴世华,林彦之
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种铜互连中空气隙的形成方法,通过在双大马士革结构形成之后,先在双大马士革结构侧壁上淀积一层氧化层,随后再进行金属的填充,并在牺牲层去除之后在金属的侧壁上保留氧化层,从而防止在牺牲层刻蚀时对金属的损伤,并可提高后续阻挡层与金属的粘附性。
搜索关键词: 互连 空气 形成 方法
【主权项】:
一种铜互连中空气隙的形成方法,其特征在于,其包括以下步骤:步骤S01,提供形成有第一金属图形的衬底,在衬底上依次淀积介电材料层和牺牲层,并在所述介电材料层和牺牲层中形成贯穿介电材料层和牺牲层的双大马士革结构;步骤S02,在所述双大马士革结构的侧壁形成氧化层,随后向双大马士革结构内填充金属,形成第二金属图形;步骤S03,去除所述牺牲层,使所述第二金属图形中形成空隙;步骤S04,在所述第二金属图形以及其侧壁的氧化层上淀积含氮阻挡层;步骤S05,在所述第二金属图形上淀积介质层,在所述第二金属图形中的空隙处形成空气隙。
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