[发明专利]铜互连中空气隙的形成方法有效
申请号: | 201410835897.X | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN104465506B | 公开(公告)日: | 2018-01-26 |
发明(设计)人: | 胡正军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种铜互连中空气隙的形成方法,通过在双大马士革结构形成之后,先在双大马士革结构侧壁上淀积一层氧化层,随后再进行金属的填充,并在牺牲层去除之后在金属的侧壁上保留氧化层,从而防止在牺牲层刻蚀时对金属的损伤,并可提高后续阻挡层与金属的粘附性。 | ||
搜索关键词: | 互连 空气 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种铜互连中空气隙的形成方法,其特征在于,其包括以下步骤:步骤S01,提供形成有第一金属图形的衬底,在衬底上依次淀积介电材料层和牺牲层,并在所述介电材料层和牺牲层中形成贯穿介电材料层和牺牲层的双大马士革结构;步骤S02,在所述双大马士革结构的侧壁形成氧化层,随后向双大马士革结构内填充金属,形成第二金属图形;步骤S03,去除所述牺牲层,使所述第二金属图形中形成空隙;步骤S04,在所述第二金属图形以及其侧壁的氧化层上淀积含氮阻挡层;步骤S05,在所述第二金属图形上淀积介质层,在所述第二金属图形中的空隙处形成空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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