[发明专利]一种以冶金法去除多晶硅造渣剂中硼元素的方法及制备的再生造渣剂有效
| 申请号： | 201410829785.3 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104556051A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 谭毅;王登科;李佳艳 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种以冶金法去除多晶硅造渣剂中硼元素的方法，将废弃的多晶硅造渣剂与高纯硅料混合后，于中频感应炉中熔炼，1800～2200℃下搅拌并保温15～60min，使硼反扩散至硅中，后静置5～10min，将熔体倾倒至耐火容器中，冷却，切除硅料的一端，其余部分即为去除硼元素的多晶硅造渣剂。本发明的方法可有效去除多晶硅中的杂质硼元素，使其降低至0.5～2ppmw，可以达到造渣剂的水平，造渣剂的再生利用可降低整条生产线的成本5％以上，并能节约造渣剂成本10％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 冶金 去除 多晶 造渣 剂中硼 元素 方法 制备 再生 | ||
【主权项】：
一种以冶金法去除多晶硅造渣剂中硼元素的方法，包括以下步骤：①将废弃的多晶硅造渣剂与高纯硅料以10～20:1的质量比混合，破碎至20～40mm的块状，置于中频感应炉中，于大气氛下熔炼，将中频感应炉的功率升至100～300kW，将温度升高至1800～2200℃以上，搅拌并保温15～60min，使硼反扩散至硅中；②步骤①中的保温结束后，停止搅拌，静置，继续第二次保温，时间为5～10min；③将熔体倾倒至耐火容器中，冷却，切除硅料的一端，其余部分即为去除硼元素的多晶硅造渣剂。
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