[发明专利]一种半导体器件制备工艺有效
| 申请号： | 201410825942.3 | 申请日： | 2014-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN104465402B | 公开（公告）日： | 2018-03-06 |
| 发明（设计）人： | 黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超结结构的半导体器件制备工艺，包括如下步骤提供一第一导电类型的半导体衬底，在该半导体衬底之上制备具有若干第一沟槽的牺牲层；制备一侧墙覆盖在第一沟槽的侧壁；制备第二导电类型的第一外延层将第一沟槽进行填充；移除牺牲层和侧墙，以在第一外延层中形成第二沟槽；制备第一导电类型的第二外延层将第二沟槽进行填充。本发明通过采用先进的无定形碳工艺，使得超结结构的N型半导体材料和P型半导体材料界面垂直平整，并且N型半导体材料和P型半导体材料宽度保持精确一致，提高了超结器件性能。并且由于采用先进的无定形碳工艺，P柱和N柱宽度可以减小到40nm以下，从而大大降低元胞面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：在第一导电类型的半导体衬底之上制备具有若干第一沟槽的牺牲层；制备一侧墙覆盖在第一沟槽的侧壁；制备第二导电类型的第一外延层将第一沟槽进行填充；依次移除牺牲层和侧墙，以在第一外延层中形成若干第二沟槽；制备第一导电类型的第二外延层将第二沟槽进行填充；其中，牺牲层为无定形碳，采用灰化处理移除牺牲层；侧墙为硅的氧化物，在移除牺牲层之后，再采用氟化氢溶液和/或热磷酸溶液移除侧墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
