[发明专利]用于等离子刻蚀设备的上盖和等离子刻蚀设备有效
| 申请号: | 201410824996.8 | 申请日: | 2014-12-26 |
| 公开(公告)号: | CN105789009B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
| 发明(设计)人: | 李宗兴 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种用于等离子刻蚀设备的上盖,所述上盖包括导电的壳体,其中,所述上盖还包括分隔板,所述分隔板与所述壳体围成空腔,所述分隔板包括彼此相连的介质窗部和导电板部,所述介质窗部环绕所述导电板部设置,平面线圈设置在介质窗部上并位于所述空腔中。本发明还提供一种等离子刻蚀设备。在利用所述等离子刻蚀设备对晶片进行等离子刻蚀时,所述导电板部与下平板电极相对,因此,可以减小下平板电极的射频功率直接以电场的形式传输到腔室主体中时的阻抗,提高了射频功率的传输效率,增强了晶片表面的电场强度,提高了离子对晶片的轰击作用。 | ||
| 搜索关键词: | 等离子刻蚀设备 上盖 导电板部 分隔板 介质窗 下平板电极 射频功率 晶片 等离子刻蚀 传输效率 晶片表面 平面线圈 腔室主体 电场 成空腔 壳体围 导电 减小 壳体 空腔 阻抗 轰击 离子 环绕 传输 | ||
【主权项】:
1.一种用于等离子刻蚀设备的上盖,所述上盖包括导电的壳体,其特征在于,所述上盖还包括分隔板,所述分隔板与所述壳体围成空腔,所述分隔板包括彼此相连的介质窗部和导电板部,所述导电板部由导电材料构成,所述介质窗部环绕所述导电板部设置;平面线圈设置在介质窗部上并位于所述空腔中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410824996.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:适于飞行时间质谱仪的离子延时引出模块
- 下一篇:开关断路器





