[发明专利]掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途在审
| 申请号： | 201410820085.8 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN104532350A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 万松明;冯德玄;唐小路;张波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院合肥物质科学研究院 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B15/00;C30B17/00;C30B11/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司34112 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体及其生长方法和用途。这种晶体化学式为PbxBa1-xB2O4，其中x为Pb2+离子替代Ba2+离子的比例，取值范围为0.005≦x≦0.05。这种晶体可采用提拉法、泡生法和布里奇曼法等熔体法生长，晶体生长原料为PbxBa1-xB2O4或过量B2O3不超过10mol%的PbxBa1-xB2O4。这种晶体的物化性能稳定、机械加工性能好、透光波段宽、光损伤阈值大、双折射率大，受激Raman散射（SRS）活性振动模式的频率在635cm–1附近。该晶体可制作格兰型棱镜、渥拉斯顿棱镜、萨那芒特棱镜、洛匈棱镜等光束分离偏振器件，以及相位延迟和光学补偿器件；并可用做SRS晶体在紫外－可见－近红外波段对激光进行变频。 | ||
| 搜索关键词： | pb2 离子 高温 硼酸 晶体 及其 生长 方法 用途 | ||
【主权项】：
一种掺Pb2+离子高温相偏硼酸钡晶体，其特征在于：该晶体的化学式为PbxBa1‑xB2O4，其中x为Pb2+离子替代Ba2+离子的比例，其取值范围为0.005≦x≦0.05。
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