[发明专利]一种考虑磁单极子影响的三维电磁场数值计算方法在审
| 申请号: | 201410817034.X | 申请日: | 2014-12-23 |
| 公开(公告)号: | CN104699945A | 公开(公告)日: | 2015-06-10 |
| 发明(设计)人: | 李小健;聂秀丽;杜晓琳;赵晓凡 | 申请(专利权)人: | 中国北方车辆研究所 |
| 主分类号: | G06F19/00 | 分类号: | G06F19/00 |
| 代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘东升 |
| 地址: | 100072*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明属于电磁场数值计算技术领域,具体涉及一种考虑磁单极子影响的三维电磁场数值计算方法。本发明技术方案所提供的计算方法,不同于标准麦克斯韦方程组,本发明方案中引入了磁压激励、磁流激励、磁荷激励三类磁激励,上述三类磁激励对电磁场分布的影响可以得到预测。该方法主要包括以下步骤:获取计算所需参数信息、离散化计算对象区域、计算方程参数、构建线性方程组、求解线性方程组。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 考虑 磁单极子 影响 三维 电磁场 数值 计算方法 | ||
【主权项】:
一种考虑磁单极子影响的三维电磁场数值计算方法,其特征在于,其包括如下步骤:步骤S1:获取计算对象区域内完成计算所需的信息,包括:根据计算要求所确定的计算频率f、计算对象区域内相对介电常数分布εr、计算对象区域内相对磁导率分布μr、计算对象区域内导电材料电导率κe、计算对象区域内导磁材料磁导系数κm、电压激励Ue,ex、电流激励Ie,ex、磁压激励Um,ex、磁流激励Im,ex、电荷密度ρe、磁荷密度ρm以及根据计算要求所确定的区域边界条件;步骤S2:将计算对象区域离散化为重复排列的电磁参数单元,每个电磁参数单元包含八类格点,分别是:电节点格点、沿x轴方向电支路的电节点格点、沿y轴方向电支路的电节点格点、沿z轴方向电支路的电节点格点、磁节点格点、沿x轴方向磁支路的磁节点格点、沿y轴方向磁支路的磁节点格点、沿z轴方向磁支路的磁节点格点;其中,该电磁参数单元为由两个六面立方体嵌套构成的双层立方体;(1)其中,在以磁节点为中心的情况下,外层六面体具备八个顶点,分为:电节点格点A1、由该电节点格点A1沿x轴正方向经过电支路而来的电节点格点B1、由该电节点格点B1再沿z轴负方向经过电支路而来的电节点格点C1、由该电节点格点C1沿x轴负方向经过电支路而来的电节点格点D1,该电节点格点D1沿在z轴正方向经过电支路的电节点格点即所述电节点格点A1;以及由该电节点格点A1沿y轴正方向经过电支路而来的电节点格点E1、由该电节点格点E1沿x轴正方向经过电支路而来的电节点格点F1、由该电节点格点F1再沿z轴负方向经过电支路而来的电节点格点G1、由该电节点格点G1沿x轴负方向经过电支路而来的电节点格点 H1,该电节点格点H1沿在z轴正方向经过电支路的电节点格点即所述电节点格点E1;此时,所述电节点格点B1沿y轴正方向经过电支路的电节点格点为所述电节点格点F1,所述电节点格点C1沿y轴正方向经过电支路的电节点格点为所述电节点格点G1,所述电节点格点D1沿y轴正方向经过电支路的电节点格点为所述电节点格点H1;同时,内层六面体具备八个顶点,分为:磁节点格点A’1、由该磁节点格点A’1沿x轴正方向经过磁支路而来的磁节点格点B’1、由该磁节点格点B’1再沿z轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点C’1、由该磁节点格点C’1沿x轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点D’1,该磁节点格点D’1沿在z轴正方向经过磁支路的磁节点格点即所述磁节点格点A’1;以及由该磁节点格点A’1沿y轴正方向经过磁支路而来的磁节点格点E’1、由该磁节点格点E’1沿x轴正方向经过磁支路而来的磁节点格点F’1、由该磁节点格点F’1再沿z轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点G’1、由该磁节点格点G’1沿x轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点H’1,该磁节点格点H’1沿在z轴正方向经过磁支路的磁节点格点即所述磁节点格点E’1;此时,所述磁节点格点B’1沿y轴正方向经过磁支路的磁节点格点为所述磁节点格点F’1,所述磁节点格点C1沿y轴正方向经过磁支路的磁节点格点为所述磁节点格点G’1,所述磁节点格点D1沿y轴正方向经过磁支路的磁节点格点为所述磁节点格点H’1;(2)其中,在以电节点为中心的情况下,外层六面体具备八个顶点,分为:磁节点格点A’2、由该磁节点格点A’2沿x轴正方向经过磁支路而来的磁节点格点B’2、由该磁节点格点B’2再沿z轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点C’2、由该磁节点格点C’2沿x轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点D’2,该磁节点格点D’2沿在z轴正方向经 过磁支路的磁节点格点即所述磁节点格点A’2;以及由该磁节点格点A’2沿y轴正方向经过磁支路而来的磁节点格点E’2、由该磁节点格点E’2沿x轴正方向经过磁支路而来的磁节点格点F’2、由该磁节点格点F’2再沿z轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点G’2、由该磁节点格点G’2沿x轴负方向经过磁支路而来的磁节点格点H’2,该磁节点格点H’2沿在z轴正方向经过磁支路的磁节点格点即所述磁节点格点E’2;此时,所述磁节点格点B’2沿y轴正方向经过磁支路的磁节点格点为所述磁节点格点F’2,所述磁节点格点C’2沿y轴正方向经过磁支路的磁节点格点为所述磁节点格点G’2,所述磁节点格点D’2沿y轴正方向经过磁支路的磁节点格点为所述磁节点格点H’2;同时,内层六面体具备八个顶点,分为:电节点格点A2、由该电节点格点A2沿x轴正方向经过电支路而来的电节点格点B2、由该电节点格点B2再沿z轴负方向经过电支路而来的电节点格点C2、由该电节点格点C2沿x轴负方向经过电支路而来的电节点格点D2,该电节点格点D2沿在z轴正方向经过电支路的电节点格点即所述电节点格点A2;以及由该电节点格点A2沿y轴正方向经过电支路而来的电节点格点E2、由该电节点格点E2沿x轴正方向经过电支路而来的电节点格点F2、由该电节点格点F2再沿z轴负方向经过电支路而来的电节点格点G2、由该电节点格点G2沿x轴负方向经过电支路而来的电节点格点H2,该电节点格点H2沿在z轴正方向经过电支路的电节点格点即所述电节点格点E2;此时,所述电节点格点B2沿y轴正方向经过电支路的电节点格点为所述电节点格点F2,所述电节点格点C2沿y轴正方向经过电支路的电节点格点为所述电节点格点G2,所述电节点格点D2沿y轴正方向经过电支路的电节点格点为所述电节点格点H2;步骤S3:计算每个电节点格点的电导纳及每个磁节点格点的磁 导纳,具体过程如下:步骤S301:对于每个电节点格点,通过如下关系计算该格点处电导纳Ye:Ye=κe·d+i·2·π·f·ε0·εr·d (1) 其中κe为该格点处电导率,d为该格点临近电节点格点间距离,i为虚数单位,π为圆周率,f为计算频率,ε0为真空介电常数,εr为该格点处相对介电常数;步骤S302:对于每个磁节点格点,通过如下关系计算该格点处磁导纳Ym:Ym=κm·d+i·2·π·f·μ0·μr·d (2) 其中,κm为该格点处磁导系数,d为该格点临近磁节点格点间距离,i为虚数单位,π为圆周率,f为计算频率,μ0为真空磁导率,μr为该格点处相对磁导率;步骤S4:为计算对象区域内的每个格点构建线性方程,具体过程如下:步骤S401:对于沿x轴方向的电节点格点,构建如下方程:其中,Ye为该格点处电导纳,Ee为该格点处电动势,φe,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的电势,φe,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的电势,Em,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的磁动势,Em,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的磁动势,Em,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的磁动势,Em,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的磁动势,Ue,ex为该格点处电压激励,Ie,ex为该格点处电流激励;步骤S402:对于沿y轴方向的电节点格点,构建如下方程:其中,Ye为该格点处导纳,Ee为该格点处电动势,φe,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的电势,φe,y‑1为该格点沿y轴负方向临近 格点的电势,Em,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的磁动势,Em,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的磁动势,Em,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的磁动势,Em,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的磁动势,Ue,ex为该格点处电压激励,Ie,ex为该格点处电流激励;步骤S403:对于沿z轴方向的电节点格点,构建如下方程:其中,Ye为该格点处导纳,Ee为该格点处电动势,φe,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的电势,φe,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的电势,Em,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的磁动势,Em,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的磁动势,Em,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的磁动势,Em,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的磁动势,Ue,ex为该格点处电压激励,Ie,ex为该格点处电流激励;步骤S404:对于沿x轴方向的磁节点格点,构建如下方程:其中,Ym为该格点处磁导纳,Em为该格点处磁动势,φm,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的磁势,φm,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的磁势,Ee,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的电动势,Ee,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的电动势,Ee,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的电动势,Ee,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的电动势,Um,ex为该格点处磁压激励,Im,ex为该格点处磁流激励;步骤S405:对于沿y轴方向的磁节点格点,构建如下方程:其中,Ym为该格点处磁导纳,Em为该格点处磁动势,φm,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的磁势,φm,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的磁势,Ee,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的电动势,Ee,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的电动势,Ee,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的电动势,Ee,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的电动 势,Um,ex为该格点处磁压激励,Im,ex为该格点处磁流激励;步骤S406:对于沿z轴方向磁节点格点,构建如下方程:其中,Ym为该格点处磁导纳,Em为该格点处磁动势,φm,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的磁势,φm,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的磁势,Ee,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的电动势,Ee,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的电动势,Ee,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的电动势,Ee,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的电动势,Um,ex为该格点处磁压激励,Im,ex为该格点处磁流激励;步骤S407:对于以电节点为中心的电磁参数单元中的电节点格点,构建如下方程:其中,Ee,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的电动势,dx‑1为两格点间距离,Sx‑1为该电磁参数单元沿x轴负方向矩形表面即的面积,Ee,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的电动势,dx+1为两格点间距离,Sx+1为该电磁参数单元沿x轴正方向矩形表面的面积,Ee,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的电动势,dy‑1为两格点间距离,Sy‑1为该电磁参数单元沿y轴负方向矩形表面的面积,Ee,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的电动势,dy+1为两格点间距离,Sy+1为该电磁参数单元沿y轴正方向矩形表面的面积,Ee,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的电动势,dz‑1为两格点间距离,Sz‑1为该电磁参数单元沿z轴负方向矩形表面的面积,Ee,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的电动势,dz+1为两格点间距离,Sz+1为该电磁参数单元沿z轴正方向矩形表面的面积,ρe为该格点处电荷密度,V为该电磁参数单元的体积,ε0为真空介电常数,εr为该格点处相对介电常数;步骤S408:对于以磁节点为中心的电磁参数单元中的磁节点格 点,构建如下方程:其中,Em,x‑1为该格点沿x轴负方向临近格点的磁动势,dx‑1为两格点间距离,Sx‑1为该电磁参数单元沿x轴负方向矩形表面的面积,Em,x+1为该格点沿x轴正方向临近格点的磁动势,dx+1为两格点间距离,Sx+1为该电磁参数单元沿x轴正方向矩形表面的面积,Em,y‑1为该格点沿y轴负方向临近格点的磁动势,dy‑1为两格点间距离,Sy‑1为该电磁参数单元沿y轴负方向矩形表面的面积,Em,y+1为该格点沿y轴正方向临近格点的磁动势,dy+1为两格点间距离,Sy+1为该电磁参数单元沿y轴正方向矩形表面的面积,Em,z‑1为该格点沿z轴负方向临近格点的磁动势,dz‑1为两格点间距离,Sz‑1为该电磁参数单元沿z轴负方向矩形表面的面积,Em,z+1为该格点沿z轴正方向临近格点的磁动势,dz+1为两格点间距离,Sz+1为该电磁参数单元沿z轴正方向矩形表面的面积,ρm为该格点处磁荷密度,V为以该格点为中心的电磁参数单元的体积,μ0为真空磁导率,μr为该格点处相对磁导率;步骤S5:代入边界条件,求解步骤S4中构建的公式(3)至公式(10),完成计算。
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G06F19-00 专门适用于特定应用的数字计算或数据处理的设备或方法
G06F19-10 .生物信息学,即计算分子生物学中的遗传或蛋白质相关的数据处理方法或系统
G06F19-12 ..用于系统生物学的建模或仿真,例如:概率模型或动态模型,遗传基因管理网络,蛋白质交互作用网络或新陈代谢作用网络
G06F19-14 ..用于发展或进化的,例如:进化的保存区域决定或进化树结构
G06F19-16 ..用于分子结构的,例如:结构排序,结构或功能关系,蛋白质折叠,结构域拓扑,用结构数据的药靶,涉及二维或三维结构的
G06F19-18 ..用于功能性基因组学或蛋白质组学的,例如:基因型–表型关联,不均衡连接,种群遗传学,结合位置鉴定,变异发生,基因型或染色体组的注释,蛋白质相互作用或蛋白质核酸的相互作用
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