[发明专利]氧化锌纳米柱阵列材料及操控氧化锌纳米柱阵列密度与光学带隙的电化学沉积方法在审
| 申请号： | 201410815010.0 | 申请日： | 2014-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN105780118A | 公开（公告）日： | 2016-07-20 |
| 发明（设计）人： | 汤洋;郭逦达;张增光;张德忠;陈颉 | 申请（专利权）人： | 神华集团有限责任公司;北京低碳清洁能源研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B30/02;C25D9/08;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李婉婉;金迪 |
| 地址： | 100011 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氧化锌纳米柱阵列材料及操控氧化锌纳米柱阵列密度与光学带隙的电化学沉积方法。该氧化锌纳米柱阵列材料掺杂有镓组分，纳米柱间距为20至80nm，纳米柱阵列的密度为3×109cm-2至9×109cm-2，光学带隙为3.2-3.8eV。所述方法包括：使生长基底在含有锌源前驱体、铵盐和镓盐的溶液中进行电化学沉积。在本发明中，通过在电化学沉积的反应溶液中同时引入铵盐和镓盐，以促进镓掺杂进入氧化锌纳米柱阵列中，使得氧化锌纳米柱阵列的间距、密度和光学带隙可以在特定的范围内进行操控。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化锌 纳米 阵列 材料 操控 密度 光学 电化学 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化锌纳米柱阵列材料，其特征在于，该氧化锌纳米柱阵列材料掺杂有镓组分，纳米柱阵列的密度为3×109cm‑2至9×109cm‑2，光学带隙为3.2‑3.8eV。
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