[发明专利]一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410810735.0 | 申请日： | 2014-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN104867799B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;宋冠英;段振亚;李伟东;孟阿兰 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C01B31/36 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司37241 | 代理人： | 郝团代 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射材料的制备方法，包括以聚碳硅烷和氯化镧为反应原料，硝酸镍为催化剂；将混合研磨后的反应原料和浸有催化剂的石墨基片置于石墨反应室中，放入真空气氛炉内；通Ar气，抽真空至50～80Pa，以15℃/min的升温速率升温至600～900℃，保温10min，随后以15℃/min的升温速率升温至1250～1350℃，保温60～150min。本发明方法的原料及工艺简单，可一步实现原位稀土La掺杂SiC一维纳米材料的制备，所得La掺杂SiC一维纳米材料具有更低的开启电场(1.5V/μm)和阈值电场值(5.1V/μm)，有望应用于高性能场发射器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 la 原位 掺杂 纳米 sic 发射 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备方法，包括以下步骤：固态聚碳硅烷和固体氯化镧为反应原料，混合研磨30～40min，得到混合反应原料；将石墨基片于超声波清洗机中清洗烘干后，浸入0.01mol/L的Ni(NO3)3乙醇溶液中，超声震荡5分钟，取出自然晾干，得到浸有催化剂的基片；将浸有催化剂的基片及混合反应原料，置于石墨反应室内，一起放入真空可控气氛炉内；将真空可控气氛炉抽真空至50～80Pa，以15℃/min升温速率升温至600～900℃，保温10min，随后以15℃/min的升温速率继续升温至1200～1350℃，保温60～150min；关闭电源，使真空可控气氛炉自然冷却至室温，可一步实现La原位掺杂一维纳米SiC场发射阴极材料的制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛科技大学，未经青岛科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410810735.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
