[发明专利]多孔硅PN结型核电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201410804724.1 | 申请日： | 2014-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104485150A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 郭航;戴昌鸿;吴凯;笪凯 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 多孔硅PN结型核电池及其制备方法，涉及核电池。所述核电池从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层；各层尺寸相同。所述制备方法：在硅衬底层上扩散磷或者硼得到PN结；采用电化学阳极氧化的方法在硅片上腐蚀得到多孔硅层；在硅片的两面分别溅射上电极金属层和下电极金属层；在上电极金属层的上方耦合一层放射性同位素层。增加了放射性同位素层辐射出的电子与半导体PN结区的作用面积，并利用多孔硅的量子限制效应使硅的禁带得到展宽，从而提高该核电池的开路电压、短路电流和转换效率。能明显地提高电池的转换效率，在更小的体积内提供更多的电能。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 pn 核电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
多孔硅PN结型核电池，其特征在于其从上至下依次设有放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层；放射性同位素层、上电极金属层、多孔硅层、硅衬底层和下电极金属层的尺寸相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410804724.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：石墨烯复合材料及其制备方法
- 下一篇：重力式双盖密封装置
