[发明专利]存储器件的形成方法

摘要

一种存储器件的形成方法，包括：在衬底表面形成若干层重叠的复合层，复合层表面具有掩膜层，复合层包括绝缘层和位于绝缘层表面的器件层；在掩膜层的部分侧壁表面形成强化层，强化层暴露出掩膜层的顶部表面、以及部分侧壁表面；以强化层为掩膜，刻蚀掩膜层暴露出的侧壁表面，暴露出顶层的部分复合层表面；之后，以掩膜层和强化层为掩膜，刻蚀暴露出的复合层，对复合层的刻蚀厚度大于或等于单层器件层的厚度；之后，重复一次或若干次刻蚀掩膜层侧壁和刻蚀复合层的步骤，直至若干层器件层的投影图形尺寸自底层至顶层沿至少一个方向逐层缩小，使若干器件层形成自底层至顶层逐层递减的阶梯形。所形成的存储器件空间占用率低，位密度高、位成本低。

主权项

1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成若干层重叠的复合层，所述复合层表面具有掩膜层，所述复合层包括绝缘层、以及位于绝缘层表面的器件层；在所述掩膜层的部分侧壁表面形成强化层，所述强化层暴露出所述掩膜层的顶部表面、以及部分侧壁表面；以所述强化层为掩膜，刻蚀所述掩膜层暴露出的侧壁表面，暴露出顶层的部分复合层表面；在刻蚀所述掩膜层暴露出的侧壁表面之后，以所述掩膜层和强化层为掩膜，刻蚀暴露出的复合层，对所述复合层的刻蚀厚度大于或等于单层器件层和绝缘层的厚度；在刻蚀暴露出的复合层之后，重复一次或若干次所述刻蚀掩膜层暴露出的侧壁表面的步骤、以及刻蚀暴露出的复合层的步骤，直至若干层器件层的投影图形尺寸自底层至顶层沿至少一个方向逐层缩小，所述投影图形为所述器件层投影于衬底表面的图形，使若干器件层形成自底层至顶层逐层递减的阶梯形。