[发明专利]一种单层纳米金属光栅的制备方法在审
| 申请号： | 201410802449.X | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN104503012A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | 张然;褚金奎;刘泽;王志文;王倩怡 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/00 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116024 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单层纳米金属光栅的制备方法，属于纳米制造技术领域，所述制备方法包括如下步骤：①先将基底涂上压印胶，再将具有纳米光栅图形的压印模板压入压印胶，得到一维纳米光栅结构的压印胶层，最后将压印残胶层去除；②在基底上有纳米光栅图形的一面沉积金属层，在压印胶层的上面形成上层金属纳米光栅层，在基底的上面形成下层金属纳米光栅层；③将压印胶层去除，得到单层纳米金属光栅，本发明有益效果为工艺步骤简单，操作容易，成本低，制作周期短及适合批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单层 纳米 金属 光栅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单层纳米金属光栅的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：①先将基底涂上压印胶，再将具有纳米光栅图形的压印模板压入压印胶，得到一维纳米光栅结构的压印胶层，最后将压印残胶层去除；②在基底上有纳米光栅图形的一面沉积金属层，在压印胶层的上面形成上层金属纳米光栅层，在基底的上面形成下层金属纳米光栅层；③将压印胶层去除，得到单层纳米金属光栅。
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