[发明专利]具有线型气隙的半导体器件及其制造方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括：在衬底之上形成第一层间电介质层；通过刻蚀第一层间电介质层形成第一接触孔；形成填充第一接触孔的初步第一导电插塞；在初步第一导电插塞之上形成包括位线的位线结构；通过刻蚀初步第一导电插塞来形成第一导电插塞，使得在第一接触孔的侧壁和第一导电插塞之间形成间隙；在间隙中形成绝缘插塞；形成包括牺牲间隔件且从绝缘插塞的上部之上延伸至位线结构的侧壁之上的多层间隔件；形成与位线结构和第一导电插塞相邻的第二导电插塞，多层间隔件和绝缘插塞位于位线结构和第一导电插塞与第二导电插塞之间；以及通过去除牺牲间隔件在多层间隔件内形成线型气隙。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成第一层间电介质层；通过刻蚀所述第一层间电介质层形成第一接触孔；形成填充所述第一接触孔的初步第一导电插塞；在所述初步第一导电插塞之上形成包括位线的位线结构；通过刻蚀由所述位线结构暴露出的全部所述初步第一导电插塞来形成第一导电插塞和间隙，使得在所述第一接触孔的侧壁和所述第一导电插塞之间、于所述第一接触孔的内部形成所述间隙；在所述间隙中形成绝缘插塞；形成多层间隔件，所述多层间隔件包括牺牲间隔件，且从所述绝缘插塞的上部之上延伸至所述位线结构的侧壁之上；形成与所述位线结构和所述第一导电插塞相邻的第二导电插塞，所述多层间隔件和所述绝缘插塞位于所述位线结构和所述第一导电插塞与所述第二导电插塞之间；以及通过去除所述牺牲间隔件在所述多层间隔件内形成线型气隙。