[发明专利]用于FinFET阱掺杂的机制

摘要

在本发明中描述了用于掺杂FinFET器件的阱的机制的实施例，该实施例利用沉积掺杂膜以掺杂阱区。该机制使得在接近掺杂的阱区的沟道区中维持较低的掺杂剂浓度。结果，可以大大提高晶体管性能。该机制包括在形成晶体管的隔离结构之前沉积掺杂膜。掺杂膜中的掺杂剂用于掺杂靠近鳍的阱区。隔离结构填充有可流动介电材料，在使用微波退火的情况下，可流动介电材料转化为氧化硅。微波退火使得可流动介电材料转化为氧化硅而不会引起掺杂剂扩散。可以实施额外的阱注入以形成深阱。微波退火可用于退火衬底和鳍中的缺陷。本发明涉及用于FinFET阱掺杂的机制。

主权项

1.一种在半导体衬底上形成半导体器件的方法，包括：形成从所述半导体衬底延伸的多个鳍；沉积掺杂有第一类型的掺杂剂的第一掺杂膜以覆盖所述多个鳍的第一组；沉积掺杂有第二类型的掺杂剂的第二掺杂膜以覆盖所述多个鳍的第二组；在所述多个鳍的下部之间和所述多个鳍的下部周围形成隔离结构，其中，所述多个鳍的上部未被所述第一掺杂膜或所述第二掺杂膜覆盖，其中，形成所述隔离结构还包括：沉积介电材料以填充所述多个鳍之间和所述多个鳍周围的间隔；固化所述介电材料；对所述介电材料实施蒸汽退火；实施第一退火以将所述介电材料转化为氧化硅，所述第一退火是微波退火并且在介于400℃至600℃的范围内的衬底温度下实施；以及实施掺杂剂扩散工艺以扩散所述第一掺杂膜中的所述第一类型的掺杂剂，从而在所述多个鳍的第一组中和靠近所述多个鳍的第一组的衬底区域中形成第一类型的阱，并且扩散所述第二掺杂膜中的所述第二类型的掺杂剂，从而在被所述第二掺杂膜覆盖的所述多个鳍的第二组中形成第二类型的阱。