[发明专利]金属-绝缘体-金属（MIM）电容器结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201410790320.1 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN104733431B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 梁虔硕;戴志和;黄敬泓;何盈苍;江柏融 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器结构以及形成MIM电容器结构的方法。MIM电容器结构包括衬底和形成在衬底上的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器。MIM电容器包括电容器顶部金属(CTM)层、电容器底部金属(CBM)层和形成在CTM层和CBM层之间的绝缘体。绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且氮化物层形成在第一高k介电层和氧化物层之间。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘体 mim 电容器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器结构，包括：衬底；以及金属‑绝缘体‑金属（MIM）电容器，形成在所述衬底上，其中，所述金属‑绝缘体‑金属电容器包括：电容器顶部金属(CTM)层；电容器底部金属(CBM)层；和绝缘体，形成在所述电容器顶部金属层和所述电容器底部金属层之间，其中，所述绝缘体包括绝缘层和第一高k介电层，并且其中，所述绝缘层包括氮化物层和氧化物层，并且所述氮化物层形成在所述第一高k介电层和所述氧化物层之间，其中，所述第一高k介电层的相对介电常数大于所述绝缘层的相对介电常数。
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