[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410790124.4 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762188B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 钟汇才;罗军;赵劼;赵超;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括在绝缘衬底上沿第一方向延伸分布的多个鳍片结构、横跨多个鳍片结构沿第二方向延伸分布的栅极堆叠结构、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的源漏区，其中，多个鳍片结构上具有外延层。依照本发明的半导体器件及其制造方法，刻蚀悬挂鳍片同时在衬底上保留大面积的支撑区域，利于在悬挂鳍片表面形成全包围的高迁移率材料，提高FinFET器件高迁移率材料的多层鳍片结构与衬底之间界面的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括在绝缘衬底上沿第一方向延伸分布的多个鳍片结构、横跨多个鳍片结构沿第二方向延伸分布的栅极堆叠结构、在栅极堆叠结构沿第一方向两侧的源漏区，其中，多个鳍片结构上具有全包围的外延层，多个鳍片结构与全包围的外延层为悬置结构。
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