[发明专利]鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410789715.X | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105762186A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 李春龙;闫江;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种鳍结构，包括：衬底上的鳍，所述鳍的上部的截面基本为矩形，所述鳍的下部的截面基本为梯形。本发明的鳍的上部采用矩形的形貌，下部采用梯形的形貌，上部为沟道区域，采用矩形的形貌更易于控制器件的其他结构的形成，而下部的梯形的形貌更易于形成隔离结构，利于器件性能的控制和提升。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍结构，其特征在于，包括：衬底上的鳍，所述鳍的上部的截面基本为矩形，所述鳍的下部的截面基本为梯形。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410789715.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
