[发明专利]一种二氧化硅的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410788078.4 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105759356B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 钦华林 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二氧化硅的刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域，能够减轻二氧化硅的刻蚀负载效应。本发明实施例提供的二氧化硅的刻蚀方法，包括应用刻蚀气体对二氧化硅进行刻蚀，所述刻蚀气体包括八氟环丁烷气体，所述刻蚀气体还包括氧气，所述八氟环丁烷气体在刻蚀过程中生成的聚合物与所述氧气发生化学反应生成挥发性气体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二氧化硅的刻蚀方法，包括应用刻蚀气体对二氧化硅进行刻蚀，所述刻蚀气体包括八氟环丁烷气体，其特征在于，所述刻蚀气体还包括氧气，所述八氟环丁烷气体在刻蚀过程中生成的聚合物与所述氧气发生化学反应生成挥发性气体；其中，所述刻蚀气体还包括惰性气体，所述惰性气体为氩气；刻蚀后的二氧化硅的窄槽深度为6.91μm，宽槽深度为7.21μm，所述窄槽深度与所述宽槽深度比为95.8％，所述刻蚀后的二氧化硅的线宽为7.01μm，二氧化硅的刻蚀速率为500nm/min，二氧化硅对掩膜的选择比为20:1；形成所述刻蚀后的二氧化硅的刻蚀条件为：刻蚀气体的压力为8mT，刻蚀气体中八氟环丁烷气体的流量为35sccm，氧气的流量为4sccm，氩气的流量为50sccm，上电极射频功率为1500W，下电极射频功率为500W。
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