[发明专利]一种减少太阳能电池片刻蚀酸用量的工艺方法在审
| 申请号： | 201410771109.5 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104505431A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 胡天赐;崔红星;张文锋;胡应全;林海峰 | 申请（专利权）人： | 东方日升新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315609 浙江省宁波市宁海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种减少太阳能电池片刻蚀酸用量的工艺方法，它包括以下步骤：(1)用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG；(2)用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分；(3)用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸；(4)用KOH溶液去除电池片表面的多孔硅，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸；(5)用纯水清理表面的杂质与残留的碱；(6)用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱；(7)用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。其有益效果：无需使用高浓度的酸就可以刻蚀掉电池片的边缘部分，而且不易出现刻蚀不足的问题，同时可以减少氢氟酸与硝酸的用量，降低成本，提高生产的安全性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 太阳能电池 刻蚀 用量 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种减少太阳能电池片刻蚀酸用量的工艺方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1).用氢氟酸溶液对电池片进行去PSG；(2).用氢氟酸和硝酸的混合液刻蚀掉硅片的边缘部分；(3).用纯水清理电池片表面的杂质与残留的酸；(4).用KOH溶液去除电池片表面的多孔硅，并中和刻蚀过程中残留在表面的酸；(5).用纯水清理表面的杂质与残留的碱；(6).用氢氟酸溶液中和电池片表面的碱；(7).用纯水清洗掉电池片表面上的酸并吹干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东方日升新能源股份有限公司，未经东方日升新能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410771109.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
