[发明专利]一种ITO薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种ITO薄膜的制备方法，其包括：将ITO纳米晶直接分散在极性有机溶剂中形成ITO纳米晶分散液，再将所述ITO纳米晶分散液于基底表面成膜，之后烘干，并以水清洗，而后再次烘干，最后在150℃～300℃下退火1h以上，形成所述ITO薄膜。本发明采用特殊的ITO纳米晶制取工艺，并通过在旋涂成膜过程中加入了水洗这一步骤，有效地提高了ITO薄膜的电导，特别是在低温处理下获得了具有高电导率的ITO薄膜。本发明制备ITO薄膜的方法无需真空、高温等苛刻条件，简单易行，适用于低温下的应用。

主权项

1.一种ITO薄膜的制备方法，其特征在于包括：步骤1)，包括：Ⅰ、在含有铟化物、锡化物的混合水溶液中加入碱，调节pH值为8.0～9.0，使所述铟化物、锡化物转化为铟氢氧化物、锡氢氧化物沉淀；Ⅱ、分别用去离子水、醇溶剂反复清洗所述铟氢氧化物、锡氢氧化物沉淀，然后固液分离，得到铟氢氧化物、锡氢氧化物的前驱体；Ⅲ、将所述前驱体与乙醇混合，加入乙醇胺，超声分散成悬浮液，其中所述前驱体、乙醇、乙醇胺的用量比例为0.03～0.3mol：1L：0.007～7mol；Ⅳ、将所述悬浮液置入高压釜中热处理，热处理温度为240～260℃，时间为6～48h，得到蓝色沉淀，分别以水、醇溶剂反复清洗所述蓝色沉淀后得到ITO纳米晶，以及将ITO纳米晶直接分散在极性有机溶剂中形成ITO纳米晶分散液；步骤2)将所述ITO纳米晶分散液于基底表面旋涂成膜；步骤3)一遍旋涂完后，将基底烘干，烘干温度为100℃～290℃，然后置于温度为50℃～100℃的水中浸泡清洗5～20min，之后将水洗过的薄膜再次于100℃～290℃烘干；步骤4)重复前述步骤(2)‑(3)两次以上，获得ITO薄膜，并在150℃～300℃退火1h以上；其中，每次在基底表面旋涂ITO纳米晶分散液之前，均先以功率不低于50W的O2等离子体对基底表面进行处理。