[发明专利]一种图像传感器像素结构及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201410765148.4 申请日: 2014-12-11
公开(公告)号: CN104485342A 公开(公告)日: 2015-04-01
发明(设计)人: 郭同辉;旷章曲 申请(专利权)人: 北京思比科微电子技术股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H04N5/374
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;赵镇勇
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种图像传感器像素结构及其操作方法,包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区,还包括第一电荷传输晶体管、第二电荷传输晶体管以及置于第一电荷传输晶体管和第二电荷传输晶体管之间的电容。光电二极管在曝光周期中,第一电荷传输晶体管做开启并关闭操作多于1次,进而将多于1倍光电二极管饱和容量的光电电荷存储在电容中;光电二极管曝光结束时,将存储在电容中的光电电荷转移至漂浮有源区,进行读取光电信号操作,从而提高了图像传感器像素的电荷饱和容量。
搜索关键词: 一种 图像传感器 像素 结构 及其 操作方法
【主权项】:
一种图像传感器像素结构,包括置于半导体基体中的光电二极管、复位晶体管、源跟随晶体管、选择晶体管、漂浮有源区,其特征在于,还包括第一电荷传输晶体管和第二电荷传输晶体管,所述第一电荷传输晶体管与第二电荷传输晶体管之间设有电容;所述第一电荷传输晶体管的源极与所述光电二极管相连,其漏极与所述电容和第二电荷传输晶体管的源极相连,所述第二电荷传输晶体管的漏极与所述漂浮有源区相连。
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