[发明专利]一种基于金属纳米网格的透明电极及其制备方法在审
| 申请号： | 201410759527.2 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104485279A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 董凤良;陈佩佩;闫兰琴;李志琴;李志刚;褚卫国 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于金属纳米网格的透明电极的制备方法，所述方法包括如下步骤：(1)在硅衬底上旋涂光刻胶并烘烤；(2)曝光显影，在硅衬底上将光刻胶刻蚀出纳米网格图形；(3)在纳米网格图形的光刻胶上沉积金属层；(4)剥离除去光刻胶，获得形成于硅衬底上的金属纳米网格；(5)在金属纳米网格上旋涂粘合剂，并粘附透明衬底，并固化；(6)腐蚀除去硅衬底，获得基于透明衬底上的金属纳米网格透明电极。所述方法简单易行，易于集成和大规模生产，制备得到的透明电极导电性和透光率可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 金属 纳米 网格 透明 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属纳米网格的透明电极的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)在硅衬底上旋涂光刻胶并烘烤；(2)曝光显影，在硅衬底上将光刻胶刻蚀出纳米网格图形；(3)在纳米网格图形的光刻胶上沉积金属层；(4)剥离除去光刻胶，获得形成于硅衬底上的金属纳米网格；(5)在金属纳米网格上旋涂粘合剂，并粘附透明衬底，并固化；(6)腐蚀除去硅衬底，获得基于透明衬底上的金属纳米网格透明电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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