[发明专利]一种蓝光激光器腔面制备方法

摘要

本发明提供一种蓝光激光器腔面制备方法，其包括：在蓝宝石衬底上方低温生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上通过金属有机化合物化学气相沉积法外延生长蓝光LED/LD外延层；并在蓝宝石衬底下方选区，选区部分利用光化学辅助湿法刻蚀法刻蚀出周期性的刻蚀槽；在蓝光LED/LD外延层上通过蒸镀工艺进行生长电极，且电极在外延层结构的表面上呈周期性排列，相邻电极间形成的绝缘沟道与刻蚀槽的位置相对应；在绝缘沟道与刻蚀槽相对应的位置进行解理，腔面制备。本发明提高了以蓝宝石为衬底的芯片刻蚀效率，有利于蓝宝石衬底上生长的GaN解理端面的形成。

主权项

一种蓝光激光器腔面制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在蓝宝石衬底上方低温生长GaN缓冲层,低温的范围为450‑650℃；步骤2，在所述GaN缓冲层上通过金属有机化合物化学气相沉积法MOCVD外延生长蓝光LED/LD外延层；步骤3，根据需求在蓝宝石衬底下方选区，选区部分利用光化学辅助湿法刻蚀法刻蚀出周期性的刻蚀槽；步骤4，在所述蓝光LED/LD外延层上通过蒸镀工艺进行生长电极，且所述电极在外延层结构的表面上呈周期性排列，相邻电极间形成的绝缘沟道与刻蚀槽的位置相对应；步骤5，在绝缘沟道与刻蚀槽相对应的位置进行解理，形成LD/LED管芯，腔面制备完毕。