[发明专利]固态摄像器件以及电子装置在审
| 申请号： | 201410758371.6 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104733560A | 公开（公告）日： | 2015-06-24 |
| 发明（设计）人： | 永广侯治 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及固态摄像器件以及包括该固态摄像器件的电子装置。该固态摄像器件包括光电转换器件，所述光电转换器件包括：至少一层非黄铜矿类化合物半导体，其是晶格键合的或伪晶格键合的，并形成在硅基板上；以及至少一层黄铜矿类化合物半导体，其形成在所述非黄铜矿类化合物半导体上。根据本发明，即使将具有高的光吸收系数的黄铜矿类材料用作光电转换层，能够在实现高的灵敏度的同时抑制了暗电流。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 摄像 器件 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种固态摄像器件，其包括光电转换器件，所述光电转换器件包括：至少一层非黄铜矿类化合物半导体，其是晶格键合的或伪晶格键合的，并形成在硅基板上；以及至少一层黄铜矿类化合物半导体，其形成在所述非黄铜矿类化合物半导体上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
