[发明专利]功率半导体装置有效
| 申请号： | 201410754336.7 | 申请日： | 2014-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104701379B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 彼德·莱姆克 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 车文;张建涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种功率半导体装置，第一壳体部件具有第一凹部，第二壳体部件以如下方式相对第一壳体部件布置，即，通过第一凹部在壳体中构造开口，功率半导体装置具有导电的载荷联接元件，该载荷联接元件具有穿通过开口的穿引区段，穿引区段具有横向朝着穿引区段的第一外边沿尖形收尾的第一外边沿区域和横向朝着穿引区段的第二外边沿尖形收尾的第二外边沿区域，在第一壳体部件与穿引区段之间布置有第一密封元件的第一区段，而在第二壳体部件与穿引区段之间布置有第二密封元件的第一区段，第一和第二密封元件横向于第一和第二外边沿相互间具有接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 穿引 外边沿 功率半导体装置 第一壳体 密封元件 第二壳体 联接元件 凹部 尖形 收尾 开口 部件布置 导电 壳体 | ||
【主权项】：
1.一种功率半导体装置，其具有基底(19)以及布置在所述基底(19)上并且与所述基底(19)连接的功率半导体器件(22)，其中，所述功率半导体装置(1)具有壳体(32)，所述壳体具有第一壳体部件(13)和第二壳体部件(14)，所述第一壳体部件具有第一凹部(15)，其中，所述第二壳体部件(14)以如下方式相对所述第一壳体部件(13)布置，即，通过所述第一凹部(15)在所述壳体(32)中构造开口(17)，其中，为了电接触所述功率半导体装置(1)，所述功率半导体装置(1)具有导电的载荷联接元件(2)，所述载荷联接元件具有布置在所述壳体(32)外部的外部联接区段(2c)和布置在所述壳体(32)内部的内部联接区段(2a)以及穿过所述开口(17)的穿引区段(2b)，其中，所述穿引区段(2b)具有横向地朝着所述穿引区段(2b)的第一外边沿(4)的方向尖形收缩的第一外边沿区域(7)和横向地朝着所述穿引区段(2b)的第二外边沿(5)尖形收缩的第二外边沿区域(8)，其中，所述第一和第二外边沿区域(7、8)彼此远离地布置，并且所述第一外边沿(4)布置在所述开口(17)的第一横向端部(A)的区域(26)内，而所述第二外边沿(5)布置在所述开口(17)的第二横向端部(B)的区域(27)内，其中，在所述第一壳体部件(13)与所述穿引区段(2b)之间布置有第一密封元件(3)的第一区段(3a)，而在所述第二壳体部件(14)与所述穿引区段(2b)之间布置第二密封元件(6)的第一区段(6a)，其中，所述第一和第二密封元件(3、6)横向于所述第一和所述第二外边沿(4、5)地相互间具有接触部。
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