[发明专利]一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器在审
| 申请号： | 201410752664.3 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105891307A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 朱振中;汤英童;丁玉强;王大伟 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | G01N27/48 | 分类号： | G01N27/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，包括以下步骤，(1)由硝酸铜和四苯硼钠制得的配合物为活性物制成PVB膜修饰电极；(2)支持电解质为强碱性溶液；(3)微分脉冲伏安法(DPV)实验条件，富集电位-0.4-+0.6V，富集时间30-120s，静置时间5-120s，阴离子表面活性剂SDS的加入量与-0.004V处的微分脉冲还原峰的峰电流的增加在一定范围内存在线性关系，据此直接测定SDS的含量。所制备的PVB膜修饰电极灵敏度高、选择性好、线性范围宽，不需预先分离，可直接用于环境水样中痕量阴离子表面活性剂的快速测定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 测定 痕量 阴离子 表面活性剂 传感器 | ||
【主权项】：
一种直接测定痕量阴离子表面活性剂传感器，其特征在于：步骤如下，(1)由硝酸铜和四苯硼钠制得的配合物为活性物制成PVB膜修饰电极；(2)支持电解质为强碱性溶液；(3)微分脉冲伏安法(DPV)实验条件，富集电位‑0.4‑+0.6V，富集时间30‑120s，静置时间5‑120s，阴离子表面活性剂(SDS)的加入量与‑0.004V处的微分脉冲还原峰的峰电流的增加在一定范围内存在线性关系，据此直接测定SDS的含量。
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