[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410751970.5 | 申请日： | 2006-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN104638009B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 铃木恒德;野村亮二;汤川干央;大泽信晴;高野圭惠;浅见良信;佐藤岳尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 有机化合物 剥离层 无机化合物层 第二导电层 元件形成层 第一导电层 第一基板 挠性基板 成品率 基板 挠性 贴合 制作 制造 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板；在所述基板上的层；第一导电层和第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层提供在所述基板上的层上并与所述基板上的层接触；在所述层、所述第一导电层和所述第二导电层上的绝缘层；在所述第一导电层和所述绝缘层上的含有有机化合物的层；和在所述含有有机化合物的层上的第三导电层；其中，在所述基板上提供所述含有有机化合物的层和所述第三导电层互相接触的第一部分，其中，在所述基板上提供所述第二导电层和所述第三导电层互相接触的第二部分，且其中，所述第二部分围绕所述第一部分的外缘。
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