[发明专利]一种蓝宝石图形衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201410751919.4 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN104485406A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 韩沈丹;黄宏嘉 | 申请（专利权）人： | 西安神光安瑞光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种蓝宝石图形衬底的制备方法，以进一步提高异质外延生长结构的晶体质量、提高光效。本发明主要包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上制备一层SiO2薄膜；2)在SiO2薄膜上继续热蒸镀一层Ni膜，通过快速热退火制备Ni纳米岛；3)以Ni纳米岛为掩膜，使用反应离子刻蚀法(RIE)或氢氟酸溶液刻蚀SiO2层，获得SiO2纳米柱阵列；4)去除Ni层，即得到带有SiO2纳米柱阵列的蓝宝石图形衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石图形衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在蓝宝石衬底上制备一层SiO2薄膜；2)在SiO2薄膜上继续热蒸镀一层Ni膜，通过快速热退火制备Ni纳米岛；3)以Ni纳米岛为掩膜，使用反应离子刻蚀法(RIE)或氢氟酸溶液刻蚀SiO2层，获得SiO2纳米柱阵列；4)去除Ni层，即得到带有SiO2纳米柱阵列的蓝宝石图形衬底。
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