[发明专利]一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号: | 201410747763.2 | 申请日: | 2014-12-09 |
| 公开(公告)号: | CN104900722A | 公开(公告)日: | 2015-09-09 |
| 发明(设计)人: | 张一波;金重玄 | 申请(专利权)人: | 杭州大和热磁电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏;方琦 |
| 地址: | 310053 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法,减反射膜为三层结构,包括内层的氮氧化硅薄膜,中间层的氮化硅薄膜和外层的氮氧化硅薄膜,本发明的减反射膜采用氮氧化硅薄膜和氮化硅薄膜相结合的三层结构,可以充分利用氮氧化硅薄膜较低的折射率、较好的热稳定性以及氮化硅薄膜优良的机械性能、抗金属离子侵蚀特性,增强了硅片表面对紫外短波部分的吸收率,提高硅片的光电转化效率,而且可以明显改善电池片抗PID效应的能力。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 三层 减反射膜 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池硅片本体(1)表面沉积有减反射膜,所述减反射膜为三层结构,其中内层为氮氧化硅薄膜(2),中间层为氮化硅薄膜(3),外层为氮氧化硅薄膜(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





