[发明专利]一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201410747763.2 申请日: 2014-12-09
公开(公告)号: CN104900722A 公开(公告)日: 2015-09-09
发明(设计)人: 张一波;金重玄 申请(专利权)人: 杭州大和热磁电子有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏;方琦
地址: 310053 浙江省杭*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法,减反射膜为三层结构,包括内层的氮氧化硅薄膜,中间层的氮化硅薄膜和外层的氮氧化硅薄膜,本发明的减反射膜采用氮氧化硅薄膜和氮化硅薄膜相结合的三层结构,可以充分利用氮氧化硅薄膜较低的折射率、较好的热稳定性以及氮化硅薄膜优良的机械性能、抗金属离子侵蚀特性,增强了硅片表面对紫外短波部分的吸收率,提高硅片的光电转化效率,而且可以明显改善电池片抗PID效应的能力。
搜索关键词: 一种 具有 三层 减反射膜 晶体 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述太阳能电池硅片本体(1)表面沉积有减反射膜,所述减反射膜为三层结构,其中内层为氮氧化硅薄膜(2),中间层为氮化硅薄膜(3),外层为氮氧化硅薄膜(4)。
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