[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410747758.1 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105742350A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件结构及其制备方法，可基于传统工艺的基础上制备设置有金属结构的半导体器件，于金属结构制备步骤完成后，先于该金属结构的上表面制备一材质为锰的化合物的保护薄膜，再于该金属结构上制备保护层，即通过在金属结构与保护层之间设置含锰的保护薄膜，能够有效的降低金属结构与介质层之间出现的小丘缺陷，进而提高金属结构的电子迁移性能及产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，其特征在于，包括：半导体衬底；介质层，设置于所述半导体衬底之上；金属结构，嵌入设置于所述介质层中，且所述金属结构的上表面与所述介质层的上表面齐平；保护层，覆盖所述介质层的上表面；保护薄膜，设置于所述金属结构与所述保护之间，以隔离所述金属结构和所述保护层；其中，所述保护薄膜的材质为锰的化合物。
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