[发明专利]一种OLED器件制备方法

摘要

本发明公开了一种OLED器件制备方法，包括用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层；用OPEN MASK在所述空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，所述B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质；用FINEMASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层，所述G基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料；用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀R基色有机发光层，所述R基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料，且所述R基色有机发光层的厚度大于所述G基色有机发光层的厚度；依照常规技术，在所述B基色有机发光层、所述G基色有机发光层、所述R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。应用本发明技术方案，能够在调节三基色的腔长时，避免使用多张FINEMASK，提高OLED器件的良品率，并降低成本。

主权项

一种OLED器件制备方法，其特征在于，所述方法包括：用OPEN MASK在OLED阳极上蒸镀空穴注入层和空穴传输层；用OPEN MASK在所述空穴传输层上蒸镀B基色有机发光层，所述B基色有机发光层中掺杂有空穴传输层材质，将B基色有机发光层作为G基色有机发光层和R基色有机发光层的空穴传输层；用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀G基色有机发光层，所述G基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料；用FINE MASK在所述B基色有机发光层上的部分区域上蒸镀R基色有机发光层，所述R基色有机发光层中掺杂有电子阻挡EBL材料，且所述R基色有机发光层的厚度大于所述G基色有机发光层的厚度；依照常规技术，在所述B基色有机发光层、所述G基色有机发光层、所述R基色有机发光层上蒸镀电子传输层、电子注入层、阴极以及封装层。