[发明专利]一种LED外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201410738294.8 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105720154B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘治;袁述 | 申请（专利权）人： | 广东量晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465 | 代理人： | 陈芳 |
| 地址： | 528251 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED外延片及其制造方法，该方法包括以下步骤：在纯氮气或第一混合气氛下生长第一电子溢出阻挡层，在纯氢气或第二混合气氛下生长第二电子溢出阻挡层，所述第一混合气氛和第二混合气氛均包含氮气和氢气，所述第一混合气氛中的氮气的比例高于氢气的比例，所述第二混合气氛中的氢气的比例高于氮气的比例。本发明中的LED外延片包括两个在不同气氛下生长得到的电子溢出阻挡层，能够在保证Mg掺杂浓度的基础上，有效地提高电子溢出阻挡层的空穴浓度，填补V型缺陷，避免电子溢流，并降低了Mg掺杂的GaN层的厚度，从而大幅提升了LED外延片的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延片，其特征在于，包括：第一电子溢出阻挡层和第二电子溢出阻挡层，所述第一电子溢出阻挡层是在第一混合气氛下生长得到的，所述第二电子溢出阻挡层是在第二混合气氛下生长得到的，所述第一混合气氛和第二混合气氛均包含氮气和氢气，所述第一混合气氛中的氮气的比例高于氢气的比例，所述第二混合气氛中的氢气的比例高于氮气的比例,所述第一电子溢出阻挡层和所述第二电子溢出阻挡层为掺杂Mg的单层InxAlyGaN结构，或者，超晶格InxGaN/InxAlyGaN结构；还包括：衬底、低温GaN成核层、第一GaN层、第二GaN层、应力释放层、发光层、第三GaN层、第四GaN层和电极接触层；其中，所述低温GaN成核层位于衬底之上，所述第一GaN层位于所述低温GaN成核层之上，所述第二GaN层位于所述第一GaN层之上，所述应力释放层位于所述第二GaN层之上，所述发光层位于所述应力释放层之上，所述第一电子溢出阻挡层位于所述发光层之上，所述第二电子溢出阻挡层位于所述第一电子溢出阻挡层之上，所述第三GaN层位于所述第二电子溢出阻挡层之上，所述第四Ga层位于所述第三GaN层之上，所述电极接触层位于所述第四GaN层之上。
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