[发明专利]具有超快响应速度的光电位置传感材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201410735056.1 | 申请日： | 2014-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN104451557A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 王先杰;宋炳乾;王阳;刘志国;隋郁 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;G01B11/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 侯静 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 具有超快响应速度的光电位置传感材料及其制备方法，本发明属于传感器领域，它为了解决现有光电位置传感材料的位置灵敏度较低以及响应速度慢的问题。该光电位置传感材料具有金属氧化物—SiO2—Si三层结构，在Si基片上采用激光脉冲沉积有金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、ZnO或TiO2。制备方法：一、超声波清洗Si基片；二、金属氧化物粉末研磨压片，烧结处理后得到金属氧化物靶材；三、采用准分子激光器照射金属氧化物靶材，在Si基片上脉冲激光沉积金属氧化物层，沉积结束后冷却到室温。本发明所述的光电位置传感材料的位置灵敏度在1mW的激光照射下达到了54mV/mm，半峰宽在5μs左右。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 响应 速度 光电 位置 传感 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
具有超快响应速度的光电位置传感材料，其特征在于该具有超快响应速度的光电位置传感材料具有金属氧化物—SiO2—Si三层结构，在Si基片上采用激光脉冲沉积有厚度为10～80nm的金属氧化物层，其中的金属氧化物为Fe3O4、ZnO或TiO2，SiO2层是Si基片在空气中自然形成的。
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