[发明专利]一种低应力高可焊性镀镍电极制备方法在审
| 申请号： | 201410734146.9 | 申请日： | 2014-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN104392943A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 颜辉;陈雪筠;孙祥玉;项罗毅;陈晨 | 申请（专利权）人： | 常州瑞华电力电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213200*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种低应力高可焊性镀镍电极制备方法，包括以下步骤：步骤S100、将电极支架折弯成型；步骤S200、对折弯成型的电极支架进行电镀镍；步骤S300、镀镍退火后即得。本发明能大幅度提高电极的可焊性、减少电极变形、提高工效，同时有效减少功率器件在外部固定接线过程中内应力的产生。大大减小了由功率器件装配引起的故障率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应力 高可焊性镀镍 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低应力高可焊性镀镍电极制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S100、将电极支架折弯成型；步骤S200、对折弯成型的电极支架进行电镀镍；步骤S300、镀镍退火后即得；在步骤S100前，还包括去污步骤：将所述铜电极浸入碱性溶液中，通过化学除油去除所述铜电极表面的油污，然后将铝所述铜电极浸入酸性溶液，去除所述铜电极的表面氧化皮。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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