[发明专利]具有堆叠式封装能力的半导体封装件及其制作方法

摘要

本发明提供了一种具有堆叠式封装能力的半导体封装件制作方法，其具有下列步骤：将芯片-中介层堆叠次组体贴附至基底载体，并使该芯片插入该基底载体的贯穿开口中，且中介层侧向延伸于贯穿开口外。该基底载体可作为该芯片-中介层堆叠次组体贴附用的平台，而该中介层提供该芯片的初级扇出路由。在此制作方法中，双重增层电路形成于该封装件的相反两侧上，以提供进一步的扇出路由，并且通过披覆穿孔彼此相互电性连接，以提供具有堆叠能力的封装件。

主权项

一种具有堆叠式封装能力的半导体封装件制作方法，其特征在于，包含以下步骤：提供一半导体元件；提供一中介层，其包含一第一表面、与该第一表面相反的一第二表面、该第一表面上的多个第一接触垫、该第二表面上的多个第二接触垫、以及电性耦接该些第一接触垫与该些第二接触垫的多个贯孔；通过多个凸块电性耦接该半导体元件至该中介层的该些第二接触垫，以形成一芯片‑中介层堆叠次组件；提供一基底载体，其具有一第一表面、相反的一第二表面、以及延伸穿过该基底载体的该第一表面与该第二表面间的一贯穿开口；使用一黏着剂贴附该芯片‑中介层堆叠次组件至该基底载体，并使该半导体元件插入该贯穿开口中，且该中介层侧向延伸于该贯穿开口外；在该芯片‑中介层堆叠次组体贴附至该基底载体后，于该中介层的该第一表面上以及该基底载体的该第一表面上形成一第一增层电路，其中该第一增层电路通过该第一增层电路的多个第一导电盲孔电性耦接至该中介层的该些第一接触垫；于该半导体元件上以及该基底载体的该第二表面上形成一第二增层电路；以及形成延伸穿过该基底载体的多个披覆穿孔，以提供该第一增层电路与该第二增层电路间的电性及热性连接。