[发明专利]半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410728307.3 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105720050B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李敏;何学缅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种半导体器件及其制作方法。该半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；凹陷部，设置在第二区域的表面上；功能部件，设置在第一区域上；以及反熔丝结构，设置在第二区域上，其中，反熔丝结构包括导电部件及绝缘部件，且绝缘部件覆盖凹陷部及部分第二区域。该半导体器件中，由于绝缘部件覆盖凹陷部，使得绝缘部件的下表面具有与凹陷部对应的凸起部，而在反熔丝结构上施加电压时该凸起部的附近位置会产生具有高电场强度的电场，使得绝缘部件在较低的电压下即可被击穿，即降低了反熔丝结构的编程电压，从而使得半导体器件中的反熔丝结构在工作电压下更容易导通。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：衬底(10)，包括第一区域(11)和第二区域(12)；凹陷部(40)，设置在所述第二区域(12)的表面上；功能部件，设置在所述第一区域(11)上；以及反熔丝结构，设置在所述第二区域(12)上，其中，所述反熔丝结构包括导电部件及绝缘部件(20)，且所述绝缘部件(20)覆盖所述凹陷部(40)及部分所述第二区域(12)，所述凹陷部(40)为多个分散的凹点，并且所述凹点的横截面为倒三角形，或所述凹陷部(40)形成多个孔道结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
