[发明专利]一种AMOLED电路结构在审
| 申请号： | 201410724740.X | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105720072A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 四川虹视显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种AMOLED电路结构，具体包括第一电极板和第二电极板，所述第一电极板为阴极金属层，第二电极板为ITO电极层。通过使用阴极金属层和ITO电极层作为存储电容的两电极，使构的像素结构的开口率得到改善，同时也改善了显示装置的寿命，还能提高面板的色彩的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 amoled 电路 结构 | ||
【主权项】：
一种AMOLED电路结构，包括像素电容，所述像素电容包括第一电极板和第二电极板，其特征在于，所述第一电极板为阴极金属层，第二电极板为ITO电极层；所述ITO电极层通过导通孔与一金属层连接；所述ITO电极层上依次覆盖有保护层、有机材料层和阴极金属层，所述阴极金属层作为所述AMOLED像素电容的第一电极板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
