[发明专利]N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管在审
| 申请号： | 201410724508.6 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105720099A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 胡小龙;张广胜;卞鹏;张森 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底；形成于衬底上的第一N阱；形成于第一N阱表面的第二N阱、第一P阱、第三N阱以及第四N阱；形成于第一P阱上的源极引出区；形成于第四N阱上的漏极引出区；形成于第二N阱和第一P阱表面的第一栅极引出区；形成于第一P阱和第三N阱表面的第二栅极引出区；第一栅极引出区和第二栅极引出区分别通过金属引线引出并连接后作为N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极。上述N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管设置有第一栅极引出区以及第二栅极引出区，并通过第二N阱和第一N阱形成一条新的电流通道，使得电流能力增加了将近一倍，输出电流能力较强。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
一种N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，其特征在于，包括衬底；形成于所述衬底上的第一N阱；形成于所述第一N阱表面的第二N阱、第一P阱、第三N阱以及第四N阱；所述第一P阱分别与所述第二N阱、所述第三N阱相互连接；所述第三N阱还与所述第四N阱相互连接；形成于所述第一P阱上的源极引出区；形成于所述第四N阱上的漏极引出区；形成于所述第二N阱和所述第一P阱表面的第一栅极引出区；形成于所述第一P阱和所述第三N阱表面的第二栅极引出区；所述第一栅极引出区和所述第二栅极引出区分别通过金属引线引出并连接后作为所述N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极。
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