[发明专利]一种低吸收薄膜材料消光系数的精确计算方法有效
申请号: | 201410720302.6 | 申请日: | 2014-12-02 |
公开(公告)号: | CN104458614A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 季一勤;姜玉刚;刘华松;王利栓;姜承慧;刘丹丹 | 申请(专利权)人: | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 |
主分类号: | G01N21/31 | 分类号: | G01N21/31 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 刘东升 |
地址: | 300308 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明属于弱吸收薄膜材料的消光系数精确测量技术领域,具体涉及一种低吸收薄膜材料消光系数的精确计算方法,此方法可摆脱光谱测量精度不高的影响,通过采用532nm激光泵浦测量532nm的吸收损耗,再利用532nm和632.8nm波长的吸收损耗的换算即可得到632.8nm高反膜实际的吸收损耗,然后计算获得632.8nm波长处的具体消光系数,为研制高精度激光测量系统中所用的632.8nm的超低损耗激光薄膜、提高了新的方法和手段。 | ||
搜索关键词: | 一种 吸收 薄膜 材料 系数 精确 计算方法 | ||
【主权项】:
一种低吸收薄膜材料消光系数的精确计算方法,其特征在于,其包括如下步骤:步骤S1:采用离子束溅射沉积技术在单面基底上制备单层高折射率材料H薄膜和低折射率材料L薄膜;步骤S2:采用椭圆偏振仪测量单层H薄膜和单层L薄膜的反射椭圆偏振参数Ψ(λ)和Δ(λ),设定测量波长范围为λmin‑λmax,测量步长为Δλ,入射角度为θ;步骤S3:建立单层薄膜材料的折射率计算模型,使用非线性优化算法,对测量的椭圆偏振数据进行反演计算,选择Cauchy模型作为拟合模型,当拟合计算的数据和测量数据基本一致时,则认为反演计算成功,即获得单层H薄膜的物理厚度dH、单层L薄膜的物理厚度dL、单层H薄膜的折射率nH和单层L薄膜的折射率nL;步骤S4:根据柯西公式计算获得单层H薄膜和单层L薄膜材料的光学常数数据,在石英基底上设计工作角度为0度的632.8nm高反射膜,当最外层为H层时,记为膜系M1样品,当最外层为L层时,记为膜系M2样品,设计时反射率大于99.995%;采用离子束溅射沉积技术,在超光滑的石英基底上镀制0度的632.8nm高反射膜;步骤S5:采用表面热透镜技术,其中泵浦光源选择为532nm的绿光激光器,探测光源选择为632.8nm的红光激光器,在吸收损耗测量时,泵浦光近似于0度入射到高反射膜样品上,在高反射膜样品上选择2mm×2mm区域内的吸收损耗进行扫描测量,取平均值即可获得吸收损耗,M1样品对应的吸收损耗为A1,M2样品对应的吸收损耗为A2;步骤S6:定义M1样品在0度工作时532nm波长处的理论吸收为A3,M2样品在0度工作时532nm波长处的理论吸收为A4,M1样品在0度工作时632.8nm波长处的理论吸收为A5,M2样品在0度工作时632.8nm波长处的理论吸收为A6;则计算获得0度工作时,M1样品在632.8nm波长处的吸收损耗AH=A1×A5/A3,M2样品在632.8nm波长处的吸收损耗AL=A2×A6/A4;步骤S7:对于低损耗多层高反膜,当最外层为H层,其吸收损耗可近似为:![]()
当最外层为L层,其吸收损耗可近似为:![]()
从而计算获得高折射率材料在632.8nm的消光系数为:![]()
低折射率材料在632.8nm的消光系数为:![]()
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