[发明专利]基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统在审
| 申请号: | 201410719907.3 | 申请日: | 2015-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN104506115A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
| 发明(设计)人: | 余达;刘金国;周怀得;赵莹;陈佳豫;曹金;孙继明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号: | H02P31/00 | 分类号: | H02P31/00 |
| 代理公司: | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人: | 陶尊新 |
| 地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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| 摘要: | 基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统,涉及一种音圈电机的驱动系统,解决现有采用高压领域的集成桥驱动器存在资源浪费,且导致电机无法工作等问题,主要是针对音圈电机工作电压较低工作频率高的特点,采用两个N通道和两个P通道MOSFET及相关器件组成H桥电机驱动电路。该发明采用逻辑电路避免出现上电时桥的上下臂导通,采用高速CCD驱动器输出高频强驱动信号;根据N和P通道MOSFET的开通及关闭时间不同的特点,控制器输出的驱动逻辑信号避免了在动态变化过程中上下臂同时导通;另外对驱动系统上电顺序进行了规定。本发明避免在音圈电机的动态驱动过程中驱动桥的上下臂导通功耗增大。 | ||
| 搜索关键词: | 基于 通道 mosfet 电机 高速 驱动 系统 | ||
【主权项】:
基于N通道和P通道MOSFET的音圈电机高速驱动系统,包括控制器、组合逻辑保护电路、集成驱动器和H桥驱动电路;其特征是,所述控制器输出四路逻辑信号Ain、Bin、Cin和Din经组合逻辑保护电路处理后形成四路驱动逻辑信号A、B、C和D,将所述四路驱动逻辑信号A、B、C和D送入集成驱动器进行功率放大,获得四路驱动信号A_BUF、B_BUF、C_BUF和D_BUF,所述四路驱动信号A_BUF、B_BUF、C_BUF和D_BUF用于驱动H桥驱动电路,所述H桥驱动电路通过对所述四路驱动信号的高低电平和占空比进行调节,实现对音圈电机的方向和速度的控制;所述组合逻辑保护电路输出的四路驱动逻辑信号要求满足以下条件:驱动逻辑信号A和C相位相反,驱动逻辑信号B和D正脉冲宽度小于A和C的正脉冲宽度;所述驱动逻辑信号B上升沿滞后驱动逻辑信号A的上升沿,驱动逻辑信号D的上升沿滞后驱动逻辑信号C的上升沿,且滞后的时间大于P型MOSFET从导通到截止的时间,所述驱动逻辑信号B的下降沿超前驱动逻辑信号A的下降沿,驱动逻辑信号D的下降沿超前驱动逻辑信号C的下降沿,且超前的时间大于N型MOSFET从导通到关断的过渡时间。
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