[发明专利]规模化制备大面积、高性能石墨烯复合透明导电膜的方法在审
| 申请号: | 201410715578.5 | 申请日: | 2014-11-28 |
| 公开(公告)号: | CN104464955A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
| 发明(设计)人: | 任文才;马来鹏;成会明 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00 |
| 代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
| 地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本发明涉及石墨烯复合透明导电膜的制备技术,具体为一种规模化制备大面积、高性能石墨烯复合透明导电膜的方法。首先在初始基体上的大面积石墨烯表面和/或透明基体表面形成界面层,石墨烯与界面层构成复合透明导电膜;然后将初始基体上的石墨烯、界面层和透明基体进行结合;最后将石墨烯与初始基体分离,从而制备出大面积石墨烯复合透明导电膜。该方法利用其他透明导电薄膜作为石墨烯转移介质的组成部分(界面层),通过初始基体上石墨烯的本征表面与界面层直接接触的方式,避免转移过程对石墨烯与界面层之间的污染,促进两者之间的相互作用,从而提高复合薄膜的性能。本发明将石墨烯的转移和复合过程合二为一,易于实现规模化的卷对卷生产。 | ||
| 搜索关键词: | 规模化 制备 大面积 性能 石墨 复合 透明 导电 方法 | ||
【主权项】:
一种规模化制备大面积、高性能石墨烯复合透明导电膜的方法,其特征在于:所制备的薄膜包括石墨烯层、界面层和透明基体,界面层为透明导电薄膜,界面层与石墨烯的本征表面接触并位于石墨烯和透明基体之间;首先在初始基体上的大面积石墨烯表面和/或透明基体表面形成界面层,石墨烯与界面层构成复合透明导电膜,然后将初始基体上的石墨烯、界面层和透明基体进行结合,最后将石墨烯与初始基体分离,从而制备出大面积石墨烯复合透明导电膜;具体步骤如下:(1)在初始基体上的大面积石墨烯表面和/或透明基体表面形成界面层;(2)将初始基体上的石墨烯、界面层和透明基体进行结合;(3)石墨烯与初始基体分离。
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