[发明专利]GaN微晶及其合成方法

摘要

本发明公开了一种GaN微晶及其合成方法。包括：将分别独立存在的金属Li和金属Ga作为原料，其中，金属Li和金属Ga的摩尔比为1:1～1:10；将金属Li和金属Ga置于高纯氮气气氛下加热至415～575℃的预定温度，然后在预定温度下保持预定时间，得到GaN微晶。采用Li和Ga作为原料，可以在低温及氮气气氛下合成GaN微晶。这是由于Li可以在低温、甚至常温、常压下与氮气化合生成Li₃N，该反应为放热反应，随着加热，Li₃N在形成过程中放出的热量使得反应温度达到Li₃N与Ga反应的温度，促进了两者反应生成GaN。该合成方法具有合成温度低，且无有毒气体NH₃，实现了在低温和氮气下GaN微晶的合成。

主权项

一种GaN微晶的合成方法，包括以下步骤：将分别独立存在的金属Li和金属Ga作为原料，其中，所述金属Li和金属Ga的摩尔比为1:1～1:10；将所述金属Li和金属Ga置于高纯氮气气氛下加热至415～575℃的预定温度，然后在所述预定温度下保持预定时间，得到所述GaN微晶。