[发明专利]利用光纤激光器的激光尖峰退火在审
申请号: | 201410710371.9 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104882370A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | S·阿尼基特切夫 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/324 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种利用光纤激光器的激光尖峰退火。通过对晶片表面执行激光尖峰退火的该方法包括:利用多个光纤激光器系统来产生相应的连续波输出辐射束以形成具有长轴和沿长轴的长度LA的长型退火图像,其中连续波输出辐射束在晶片表面部分地重叠;加热晶片表面的至少一个区域至预退火温度TPA;以及在晶片表面及预热区域内扫描长型退火图像,使得长型退火图像的停留时间tD介于30纳秒至10毫秒之间并且使晶片表面的温度升至退火温度TA。 | ||
搜索关键词: | 利用 光纤 激光器 激光 尖峰 退火 | ||
【主权项】:
一种对晶片表面执行激光尖峰退火的方法,包括:利用多个光纤激光器系统产生相应的连续波CW输出辐射束,所述连续波CW输出辐射束部分地重叠于所述晶片表面以形成具有长轴及沿所述长轴的长度LA的长型退火图像;加热所述晶片的至少一个区域至预退火温度TPA从而界定预热区域;以及在所述晶片表面及至少部分地在所述预热区域内在基本垂直所述长轴的方向上扫描所述长型退火图像,使得所述长型退火图像的停留时间tD在30纳秒≤tD≤10毫秒的范围之内并且将所述晶片表面的温度升至退火温度TA。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造