[发明专利]一种离子注入监控片的重复利用方法有效
| 申请号： | 201410705846.5 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104377147B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 尹峙柠;罗海辉;刘根;唐云 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人： | 吴大建,陈伟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种离子注入监控片的重复利用方法，包括提供裸片；在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层得到监控片；对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；以及通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收。相比于现有技术中测量热波值的监控方法，本发明在实现监控片重复利用的同时扩大了离子注入剂量的监控范围，具有更好的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 离子 注入 监控 重复 利用 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入监控片的重复利用方法，包括：第一步、提供裸片；第二步、在裸片上依次沉积氮化硅层和多晶硅层，得到监控片；第三步、对多晶硅层进行离子注入，经高温退火后测量方块电阻值作为基准值，所述离子注入剂量大于1e15ions/cm2；第四步、通过刻蚀依次去除多晶硅层和氮化硅层，得到裸片进行回收；在第三步后进行可靠性验证，方法为从第二步得到的监控片中任选几片，对多晶硅层依次进行与第三步中条件相同的离子注入和高温退火过程，然后将每块监控片的方块电阻均值与第三步得到的基准值代入式Ⅰ计算：如果计算结果小于等于临界值进行第四步，否则结束当前流程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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