[发明专利]无引线的压阻式MEMS高量程加速度传感器及其制造方法有效
申请号: | 201410702200.1 | 申请日: | 2014-11-28 |
公开(公告)号: | CN104360102A | 公开(公告)日: | 2015-02-18 |
发明(设计)人: | 石云波;刘俊;唐军;马宗敏;陈艳香;李祥;李策;智丹 | 申请(专利权)人: | 中北大学 |
主分类号: | G01P15/12 | 分类号: | G01P15/12;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 太原科卫专利事务所(普通合伙) 14100 | 代理人: | 朱源 |
地址: | 030051 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及加速度传感器,具体是一种无引线的压阻式MEMS高量程加速度传感器及其制造方法。本发明解决了现有压阻式高量程加速度传感器适用范围受限的问题。无引线的压阻式MEMS高量程加速度传感器,包括衬底、封闭空腔、第一悬臂梁、第二悬臂梁、第三悬臂梁、第四悬臂梁、质量块、平面螺旋电感、第一压敏电阻、第二压敏电阻、第一电容、第二电容、第一线孔、第二线孔、第三线孔、第四线孔、第一电连线、第二电连线、第三电连线、第四电连线、第五电连线。本发明适用于加速度测量。 | ||
搜索关键词: | 引线 压阻式 mems 量程 加速度 传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种无引线的压阻式MEMS高量程加速度传感器,其特征在于:包括衬底(1)、封闭空腔(2)、第一悬臂梁(3)、第二悬臂梁(4)、第三悬臂梁(5)、第四悬臂梁(6)、质量块(7)、平面螺旋电感(8)、第一压敏电阻(9)、第二压敏电阻(10)、第一电容、第二电容、第一线孔、第二线孔、第三线孔、第四线孔、第一电连线(11)、第二电连线(12)、第三电连线(13)、第四电连线(14)、第五电连线(15);其中,衬底(1)由上层衬底、中层衬底、下层衬底键合形成;封闭空腔(2)设于衬底(1)的内部;第一悬臂梁(3)的左端面与封闭空腔(2)的左内腔壁固定;第二悬臂梁(4)的右端面与封闭空腔(2)的右内腔壁固定;第三悬臂梁(5)的前端面与封闭空腔(2)的前内腔壁固定;第四悬臂梁(6)的后端面与封闭空腔(2)的后内腔壁固定;质量块(7)的左表面与第一悬臂梁(3)的右端面固定;质量块(7)的右表面与第二悬臂梁(4)的左端面固定;质量块(7)的前表面与第三悬臂梁(5)的后端面固定;质量块(7)的后表面与第四悬臂梁(6)的前端面固定;平面螺旋电感(8)位于封闭空腔(2)的下外腔壁;第一压敏电阻(9)位于第一悬臂梁(3)的上表面;第二压敏电阻(10)位于第二悬臂梁(4)的上表面;第一电容的上极板(16)位于封闭空腔(2)的上内腔壁的左后部;第一电容的下极板(17)位于封闭空腔(2)的下内腔壁的左后部;第二电容的上极板(18)位于封闭空腔(2)的上内腔壁的右后部;第二电容的下极板(19)位于封闭空腔(2)的下内腔壁的右后部;第一线孔的两端分别贯通封闭空腔(2)的上内腔壁的左后部和左内腔壁;第二线孔的两端分别贯通封闭空腔(2)的下内腔壁的左后部和下外腔壁的左后部;第三线孔的两端分别贯通封闭空腔(2)的上内腔壁的右后部和右内腔壁;第四线孔的两端分别贯通封闭空腔(2)的下内腔壁的右后部和下外腔壁的右后部;第一电连线(11)的一段溅射于第一线孔内,另一段淀积于第一悬臂梁(3)的上表面;第一电连线(11)的两端分别与第一电容的上极板(16)和第一压敏电阻(9)连接;第二电连线(12)溅射于第二线孔内;第二电连线(12)的两端分别与第一电容的下极板(17)和平面螺旋电感(8)的一端连接;第三电连线(13)的一段溅射于第三线孔内,另一段淀积于第二悬臂梁(4)的上表面;第三电连线(13)的两端分别与第二电容的上极板(18)和第二压敏电阻(10)连接;第四电连线(14)溅射于第四线孔内;第四电连线(14)的两端分别与第二电容的下极板(19)和平面螺旋电感(8)的另一端连接;第五电连线(15)同时淀积于第一悬臂梁(3)的上表面、第二悬臂梁(4)的上表面、质量块(7)的上表面;第五电连线(15)的两端分别与第一压敏电阻(9)和第二压敏电阻(10)连接。
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