[发明专利]一种PECVD气体喷淋头、成膜腔室及工作方法

摘要

本发明提供的PECVD气体喷淋头，包括顶部、底部及位于所述顶部和底部之间的侧壁，所述顶部和底部之间构成气体均匀分布腔，所述顶部包括：中心设置有工艺气体、射频电源信号及RPS等离子体通道的顶壁和位于所述顶壁下方的工艺气体均匀分布层，所述工艺气体通道与所述工艺气体均匀分布层相连并在其中进行第一次气体均匀，然后再进入所述气体均匀分布腔内进行第二次气体均匀，所述射频电源信号直接馈入至所述顶壁内，所述RPS等离子体通道直接与所述气体均匀分布腔相连。本发明能够改善大面积基板的膜厚均一性且提高产能。

主权项

1.一种PECVD气体喷淋头，包括顶部、底部及位于所述顶部和底部之间的侧壁，所述顶部和底部之间构成气体均匀分布腔，其特征在于：所述顶部包括：中心设置有工艺气体、射频电源信号及RPS等离子体通道的顶壁和位于所述顶壁下方的工艺气体均匀分布层，所述工艺气体通道与所述工艺气体均匀分布层相连并在其中进行第一次气体均匀，然后再进入所述气体均匀分布腔内进行第二次气体均匀，所述工艺气体均匀分布层的底部设置有多个出气孔，所述工艺气体均匀分布层的进气口至所述每个出气孔的距离相等，所述气体均匀分布腔为封闭式的金属内腔，所述射频电源信号直接馈入至所述顶壁内，所述RPS 等离子体通道直接与所述气体均匀分布腔相连。